Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
V-Gate-Feldeffekttransistor — lauko tranzistorius su V užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V gate field effect transistor vok. V Gate Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с V образным затвором, m pranc. transistor à effet de champ à grille… … Radioelektronikos terminų žodynas
V-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su V užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V gate field effect transistor vok. V Gate Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с V образным затвором, m pranc. transistor à effet de champ à grille… … Radioelektronikos terminų žodynas
lauko tranzistorius su V užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V gate field effect transistor vok. V Gate Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с V образным затвором, m pranc. transistor à effet de champ à grille en V, m … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à effet de champ à grille en V — lauko tranzistorius su V užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V gate field effect transistor vok. V Gate Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с V образным затвором, m pranc. transistor à effet de champ à grille… … Radioelektronikos terminų žodynas
IGBT — Условное графическое обозначение IGBT. IGBT, БТИЗ (от англ. Insulated gate bipolar transistor … Википедия
